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Design and fabrication techniques for a mid-infrared photonic crystal defect cavity in indium antimonide

机译:锑化铟中红外光子晶体缺陷腔的设计与制造技术

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摘要

Simulation results and fabrication details are presented for a two-dimensional AlxGayIn1-x-ySb photonic crystal membrane defect cavity. Peak emission is predicted at λ = 3.372 with a Q factor of 26233 for an optimized membrane thickness of 1000 nm.
机译:给出了二维AlxGayIn1-x-ySb光子晶体膜缺陷腔的仿真结果和制造细节。对于1000 nm的最佳膜厚度,预计在λ= 3.372处具有Q因子为26233的峰值发射。

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